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主題: 聯穎光電

1 編輯時間：2024-03-18 16:04:44 / 李編輯

請問聯穎光電現在可以買嗎? 還是要再等。

2 編輯時間：2024-01-08 14:54:08 / terry chen 編輯

中國第三類半導體多箭齊發　本土替代後力拚反向輸出
徐悅然／台北

碳化矽具有耐大電流、高電壓等優勢，最大出海口為汽車產業。
肩負在第三類半導體「換道超車」的重任，華潤微、芯聯集成、天岳先進等中國業者正多箭齊發，透過產業鏈上下游合作，縮短與國際大廠差距，全面提升產能與良率，構建第三類半導體產業優勢，不僅目標實現本土替代，更要出海，強化與英飛凌（Infineon）、博世（Bosch）等國際大廠深度綁定。

天岳先進已形成山東濟南、上海臨港、山東濟寧的碳化矽（SiC）半導體材料生產基地。據了解，以目前在手訂單與客戶需求來看，上海臨港工廠第一階段產能可望提前達陣，並持續規劃提升產能中。

天岳先進董事長、總經理宗艷民表示，天岳先進的基板基本已解決了中國的進口替代問題，甚至有能力反向輸出，目前，全球前十大功率半導體企業，超過一半都已成為天岳先進的客戶。

天岳先進已打入包括英飛凌、博世等大廠供應鏈，也感受到國際大廠的擴產力度，對中國合作夥伴的擴產力度亦強，這對許多廠商來說是難得的機遇。天岳先進上海臨港生產基地第一階段年產量30萬片很可能提前達成，未來臨港將成為其主要生產基地之一。

宗艷民認為，碳化矽的成本優勢將逐步凸顯，有信心持續降低成本，達到「IGBT成本2.5倍以下」的甜蜜點。天岳先進已啟動8吋碳化矽基板布局，具備量產先發優勢，並達到相當於6吋的品質。

第三類半導體被稱為「未來電子產業基石」，是以碳化矽、氮化鎵（GaN）為代表的寬能隙半導體材料。在半導體照明、新能源汽車、通訊、高鐵等領域有廣泛應用。2020年9月，第三類半導體正式寫入中國「十四五」規畫（第14個5年規畫），在技術、市場與政策三大因素驅動下，湧現多家本土業者。

華潤微做為專注於功率半導體的整合元件廠（IDM），也深耕多年，目前6吋碳化矽和氮化鎵穩定量產，碳化矽JBS、碳化矽MOS在工業和汽車應用領域已出貨給代表性客戶。

華潤微執行董事、總裁李虹認為，目前中國主要的基板和週邊業者在產量、品質方面，已非常接近國際水準，規模化、良率進一步提升後，將很具競爭力。

他也不諱言，未來華潤微對上游材料、元件製造及下游的市場應用端，都有長遠的規劃和布局，不排除透過投資入股、購併等方式強化產業鏈合作。

芯聯集成（前身中芯集成）從2021年開始投入碳化矽MOSFET晶片、模組封裝技術的研發和產能建設，2年內已完成3輪迭代。展望2024年，芯聯集成將投入建成8吋碳化矽MOSFET產線，預期碳化矽營收貢獻將快速提升。

芯聯集成總經理趙奇表示，在元件領域，中國企業碳化矽二極管、氮化鎵元件都已實現本土化，門檻最高的車載主驅逆變器碳化矽MOSFET元件和模組，芯聯集成也從2023年起量產，未來進口替代數量將快速提升。

他預估，接下來幾年全球第三類半導體年複合成長率（CAGR）落在30~40%，對中國企業而言，由於在新能源汽車、太陽能等領域佔據領先優勢，成長率將高於平均成長曲線。

未來碳化矽能否與IGBT相比擬？趙奇認為，當碳化矽元件的成本達到對應IGBT元件成本的2.5倍以下，就是碳化矽元件性價比達到大量商業化應用的甜蜜點，這是未來產業鏈重要方向。

業界人士觀察，中國已在第三類半導體領域進行全產業鏈布局，頻出極具競爭力的企業，與國際大廠同處起跑線，有望實現換道超車。

3 編輯時間：2023-12-16 21:08:19 / 挖寶網管理員編輯

台灣第三類半導體廠商發展現況

第三類半導體技術門檻高，供應鏈與市場已被IDM大廠牢牢掌握，突破不易。台灣逐漸成形的產業鏈上下延伸合作／整合模式將是台灣產業擴大發展機會。由於目前晶圓／磊晶是第三類半導體主要供應瓶頸，若能具備該生產能力則具發展優勢。整體來看，已能量產氮化鎵磊晶片、碳化矽之晶圓的環球晶圓不啻為台灣最具競爭力的第三類半導體廠商；從製造出發整合產業鏈上下游的鴻海科技集團，藉著策略扶植與龐大的出海口優勢有望成為台灣第三類半導體中的一顆亮眼新星也備受期待。台灣擁有全球最完整的半導體產業鏈，除了大家熟知的矽製程半導體產業外，以第砷化鎵為主的化合物半導體產業已有30多年發展歷史，多家廠商投入其磊晶、元件代工等業務，技術已具備世界級水準。

在磊晶部分有使用MOCVD技術的全新與聯亞，以及採用MBE技術的英特磊；而代工業務則有為Skyworks、Qorvo等國際大廠代工生產的穩懋、宏捷科。因此台灣已具備第三類半導體發展的堅實基礎。

綜觀台灣第三類半導體碳化矽與氮化鎵的產業中，多數投入廠商正進行技術研發、試作或產品認證。如中美晶集團的環球晶圓已量產SiC晶圓與GaN on Si、GaN on SiC之磊晶片，轉投資的宏捷科投入氮化鎵元件製程開發及產能布建；台積電為Navitas、GaN Systems生產GaN on Si的功率元件，世界先進與Qromis合作開發GaN on QST技術，聯電與轉投資的砷化鎵類工廠聯穎合作開發GaN on Si製程，後者將成為生產基地；富采將類工事業分割成立晶成半導體，專攻化合物半導體製造，已具有GaN on Si元件製造能力。漢民集團投資嘉晶與漢磊，前者已能量產氮化鎵及碳化矽磊晶片，後者藉助與國際IDM廠合作發展出氮化鎵、碳化矽元件製程技術。

4 編輯時間：2023-12-11 15:51:03 / 挖寶網管理員編輯

2015年1月新聞

聯電代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技

看好功率放大器(PowerAmplifier，PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求，聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場，聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案，最高認購金額不超過5.4億元，同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電，出售價格合計4.4億元，聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。
聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技，換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股，合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源，提升競爭力，並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本，提升營運績效，創造更大獲利空間，也可爭取國際大廠代工訂單

除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電，昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。

5 編輯時間：2023-12-11 15:36:46 / 挖寶網管理員編輯

聯穎光電
112年各季累計獲利/虧損(千元)
Q1-Q1： (1,765)
Q1-Q2: (20,701)

111年各季累計獲利/虧損(千元)
Q1-Q1：341,326
Q1-Q2：696,352
Q1-Q3：761,862
Q1-Q4：579,486

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